HiSIM: Hiroshima-University STARC IGFET Model
HiSIM とは、主要なMOSFETと統合したデバイスのためのコンパクトモデルのファミリーを意味します。 HiSIMモデルは完全な表面ポテンシャルを基盤としています。
HiSIM コンパクトモデルのファミリーの概要と構成について
2つのHiSIMモデルがCMCの国際的な標準モデルとして認定されました the Compact Model Council (CMC)。
HiSIM-HV (2009年1月に第一版がリリース) : 高耐圧MOSトランジスタ標準モデル
HiSIM 2 (2011年4月に第一版がリリース) : 2次元MOSFET 標準モデル
最新の更新情報
2012/4/4 構成員に飯塚貴弘 准教授を追加しました。
2012/3/16 構成員にTapas Kumar Maiti 研究員を追加しました。
2011/12/13 HiSIM2 (HiSIM2.6.0)の新CMC標準版をリリースしました。
2011/11/10 募集要項（研究員）を掲載しました。
2011/10/28 HiSIM-HV (HiSIM_HV2.0.0)の新CMC標準版をリリースしました。
2011/10/21 募集要項（博士課程学生）を掲載しました。
2011/09/06 求人募集（契約技術職員）を更新しました。
2011/04/12 HiSIM2 (HiSIM2. 5. 1)がCMC標準化を達成・HiSIM2モデルのリリース （HiSIM2がCMC標準化：STARCニュースリリース)
メインリンク
・極微細デバイス工学研究室 (広島大学大学院先端物質科学研究科）
出版物
・極微細デバイス工学研究室 (広島大学大学院先端物質科学研究科）
・NGSPICE (HiSIM-HVとHiSIM2の最新版を搭載した電子回路シュミレータの公開ソース)
出版物
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Authors: Mitiko Miura-Mattausch, Hans Jürgen Mattausch, Tatsuya Ezaki Publisher: World Scientific Pub Co Inc. (2008) |
